Diodes Incorporated - DMTH3004LPSQ-13

KEY Part #: K6396273

DMTH3004LPSQ-13 가격 (USD) [149298PC 주식]

  • 1 pcs$0.24774
  • 2,500 pcs$0.21927

부품 번호:
DMTH3004LPSQ-13
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 특수용, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
경쟁 우위:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH3004LPSQ-13 electronic components. DMTH3004LPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH3004LPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH3004LPSQ-13 제품 속성

부품 번호 : DMTH3004LPSQ-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 22A (Ta), 145A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 43.7nC @ 15V
Vgs (최대) : +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 2370pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 136W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PowerDI5060-8
패키지 / 케이스 : 8-PowerTDFN

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다