DMN2015UFDE-7 가격 (USD) [434437PC 주식]
- 1 pcs$0.08514
- 3,000 pcs$0.04424
- 부품 번호:
- DMN2015UFDE-7
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2015UFDE-7 electronic components. DMN2015UFDE-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2015UFDE-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2015UFDE-7 제품 속성
부품 번호 :
DMN2015UFDE-7
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
45.6nC @ 10V
Vgs (최대) :
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1779pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
660mW (Ta)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
U-DFN2020-6 (Type E)
패키지 / 케이스 :
6-PowerUDFN
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