제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 440µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1200pF @ 100V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO247-3