기술 :
MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
FET 유형 :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
87A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.3V @ 2.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
180nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2.810nF @ 800V