기술 :
GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE
부품 상태 :
Discontinued at Digi-Key
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)