제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3
부품 상태 :
Not For New Designs
트랜지스터 유형 :
PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
800mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
60 @ 100mA, 1V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
250mV @ 2mA, 50mA
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3