ON Semiconductor - NDT456P

KEY Part #: K6397474

NDT456P 가격 (USD) [115278PC 주식]

  • 1 pcs$0.32246
  • 4,000 pcs$0.32085

부품 번호:
NDT456P
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDT456P 제품 속성

부품 번호 : NDT456P
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1440pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 3W (Ta)
작동 온도 : -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-223-4
패키지 / 케이스 : TO-261-4, TO-261AA

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