제조사 :
Taiwan Semiconductor Corporation
기술 :
MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.7A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
800mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1230pF @ 10V
작동 온도 :
-50°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-VDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
6-TDFN (2x2)