IPI076N12N3GAKSA1 가격 (USD) [50688PC 주식]
- 1 pcs$0.77139
- 500 pcs$0.74609
- 부품 번호:
- IPI076N12N3GAKSA1
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IPI076N12N3GAKSA1 electronic components. IPI076N12N3GAKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI076N12N3GAKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI076N12N3GAKSA1 제품 속성
부품 번호 :
IPI076N12N3GAKSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
시리즈 :
OptiMOS™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
120V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
7.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 130µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
101nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
6640pF @ 60V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
188W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO262-3
패키지 / 케이스 :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- AON6562
- IPD60R650CEATMA1
- HUFA76645S3ST-F085
- RJK5026DPP-E0#T2
- RJK2009DPM-00#T0
- IPA50R380CE
- BUZ73A H3046
- RJK6025DPD-00#J2
- IRLHM630TR2PBF
- SI4418DY-T1-GE3
- SI1403CDL-T1-GE3
- BSC200P03LSGAUMA1
- NDS8410A
- IRF6710S2TR1PBF
- IRFR5505CTRLPBF
- IRF1405ZSPBF
- IPB09N03LA G
- HUF75939P3
- RFP50N05L
- STW26NM50
- FQPF9N30
- FQI5N40TU
- ZVN4306AVSTOA
- NTB75N03L09T4G
- IRFU3911PBF
- IRF6691TR1
- NTP60N06L
- NP83P06PDG-E1-AY
- IRL1404ZL
- IRF7807VD1TR
- IRFS41N15DTRR
- IRFI510G
- IRF840L
- IRF540
- IXFV20N80P
- IPB107N20N3GATMA1
- IPB47N10S33ATMA1
- STB3NK60ZT4
- IPC020N10L3X1SA1
- ES6U1T2R