NGTB15N60S1EG 가격 (USD) [57375PC 주식]
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- 500 pcs$0.37535
- 1,000 pcs$0.28031
- 부품 번호:
- NGTB15N60S1EG
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- IGBT 600V 30A 117W TO220-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - RF, 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor NGTB15N60S1EG electronic components. NGTB15N60S1EG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB15N60S1EG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTB15N60S1EG 제품 속성
부품 번호 :
NGTB15N60S1EG
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
30A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
120A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
1.7V @ 15V, 15A
전력 - 최대 :
117W
스위칭 에너지 :
550µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
88nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
65ns/170ns
시험 조건 :
400V, 15A, 22 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
270ns
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220
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