기술 :
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.4A (Ta), 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
690pF @ 100V
전력 발산 (최대) :
2.5W (Ta), 70W (Tc)
공급 업체 장치 패키지 :
PowerFLAT™ (5x5)