BSC060N10NS3GATMA1 가격 (USD) [61491PC 주식]
- 1 pcs$0.63587
- 5,000 pcs$0.43048
- 부품 번호:
- BSC060N10NS3GATMA1
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - 트라이 액 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies BSC060N10NS3GATMA1 electronic components. BSC060N10NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC060N10NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC060N10NS3GATMA1 제품 속성
부품 번호 :
BSC060N10NS3GATMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
시리즈 :
OptiMOS™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
14.9A (Ta), 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 90µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4900pF @ 50V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
125W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TDSON-8
패키지 / 케이스 :
8-PowerTDFN
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
- 2SK3817-DL-E
- IRF1405ZL-7PPBF
- IPB80N06S209ATMA1
- IXTP102N15T
- FDJ129P_F077
- IRF3704ZCLPBF
- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
- IPI100N06S3-04
- HUF76633P3
- FQI9N15TU
- IRLI610ATU
- FQP7N10L
- FQPF5N20L
- FDB8874
- IRL3705ZSTRL
- IRF7832Z
- BSS123ATA
- 2N6760
- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
- IXFH35N30
- STP8NM60ND
- SI1011X-T1-GE3
- IPC60R099C6X1SA1
- IPP60R180C7XKSA1
- IPP120N08S404AKSA1
- IRFS23N15DTRLP
- STD15N60M2-EP
- STD12N50M2
- IPD12CN10NGATMA1
- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115