기술 :
MOSFET N-CH 100V 590A MODULE
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
590A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 500mA, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2000nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
50000pF @ 25V