제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
7.8pF @ 3V
패키지 / 케이스 :
SC-75, SOT-416