SIR770DP-T1-GE3 가격 (USD) [167720PC 주식]
- 1 pcs$0.22053
- 3,000 pcs$0.20708
- 부품 번호:
- SIR770DP-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3 electronic components. SIR770DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR770DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIR770DP-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SIR770DP-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.8V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
900pF @ 15V
전력 - 최대 :
17.8W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
PowerPAK® SO-8 Dual
공급 업체 장치 패키지 :
PowerPAK® SO-8 Dual
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