STGWT60H65DFB 가격 (USD) [16790PC 주식]
- 1 pcs$2.45470
- 10 pcs$2.20262
- 100 pcs$1.80467
- 500 pcs$1.53628
- 1,000 pcs$1.29566
- 부품 번호:
- STGWT60H65DFB
- 제조사:
- STMicroelectronics
- 상세 설명:
- IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in STMicroelectronics STGWT60H65DFB electronic components. STGWT60H65DFB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGWT60H65DFB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STGWT60H65DFB 제품 속성
부품 번호 :
STGWT60H65DFB
제조사 :
STMicroelectronics
기술 :
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
80A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
240A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 60A
전력 - 최대 :
375W
스위칭 에너지 :
1.09mJ (on), 626µJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
306nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
51ns/160ns
시험 조건 :
400V, 60A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
60ns
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-3P-3, SC-65-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-3P
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