TN5325N3-G-P002 가격 (USD) [189161PC 주식]
- 1 pcs$0.20033
- 2,000 pcs$0.19933
- 부품 번호:
- TN5325N3-G-P002
- 제조사:
- Microchip Technology
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microchip Technology TN5325N3-G-P002 electronic components. TN5325N3-G-P002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN5325N3-G-P002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TN5325N3-G-P002 제품 속성
부품 번호 :
TN5325N3-G-P002
제조사 :
Microchip Technology
기술 :
MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
250V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
215mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
110pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
740mW (Ta)
작동 온도 :
-
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-92-3
패키지 / 케이스 :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- DMP2036UVT-13
- JANSR2N7381
- SSM3K01T(TE85L,F)
- IRFH5220TRPBF
- AOL1428A
- NP80N04KHE-E1-AY
- 2SK4087LS
- NDF11N50ZG
- BSF053N03LT G
- NILMS4501NR2G
- IRF1503STRRPBF
- SI5480DU-T1-E3
- FDM100-0045SP
- HAT2175H-EL-E
- ZVN4310ASTZ
- ZVN2106ASTOB
- FDS7060N7
- NTHS5402T1
- STD5407NT4G
- SI4438DY-T1-GE3
- IRF7425PBF
- IRL3714STRL
- IRF7426TR
- NTP30N06LG
- IXFR12N100
- IRFZ14STRR
- SI4410DY,518
- BUK953R2-40B,127
- STW36NM60N
- AUIRFSA8409-7TRL
- IXTA110N055P
- HAT2279H-EL-E
- IRFR1205TRPBF
- SIPC07N50C3X1SA1
- RCD100N19TL
- RSH070N05GZETB
- XP161A1265PR
- SI1469DH-T1-GE3
- RTL020P02TR
- PMV280ENEAR