Toshiba Semiconductor and Storage - RN2110ACT(TPL3)

KEY Part #: K6528254

RN2110ACT(TPL3) 가격 (USD) [1795726PC 주식]

  • 1 pcs$0.02070
  • 10,000 pcs$0.02060

부품 번호:
RN2110ACT(TPL3)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 제너 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT(TPL3) electronic components. RN2110ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2110ACT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2110ACT(TPL3) 제품 속성

부품 번호 : RN2110ACT(TPL3)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
시리즈 : -
부품 상태 : Active
트랜지스터 유형 : PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 80mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 50V
저항기 -베이스 (R1) : 4.7 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) : -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 : -
전력 - 최대 : 100mW
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SC-101, SOT-883
공급 업체 장치 패키지 : CST3

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • FJN4309RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN4302RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • BCR 158 B6327

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.

  • BCR 148 B6327

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.

  • BCR142B6327HTLA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.

  • BCR 135 B6327

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.