Rohm Semiconductor - DTD743EMT2L

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DTD743EMT2L 가격 (USD) [886542PC 주식]

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  • 56,000 pcs$0.03272

부품 번호:
DTD743EMT2L
제조사:
Rohm Semiconductor
상세 설명:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - IGBT - 단일 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DTD743EMT2L 제품 속성

부품 번호 : DTD743EMT2L
제조사 : Rohm Semiconductor
기술 : TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
트랜지스터 유형 : NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 200mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 30V
저항기 -베이스 (R1) : 4.7 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) : 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 115 @ 100mA, 2V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 500nA
빈도 - 전환 : 260MHz
전력 - 최대 : 150mW
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SOT-723
공급 업체 장치 패키지 : VMT3

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