기술 :
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
59V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
3.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.9V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
155pF @ 35V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-261-4, TO-261AA