STGP4M65DF2 가격 (USD) [71938PC 주식]
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- 10 pcs$0.45991
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- 500 pcs$0.28010
- 1,000 pcs$0.22114
- 부품 번호:
- STGP4M65DF2
- 제조사:
- STMicroelectronics
- 상세 설명:
- IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in STMicroelectronics STGP4M65DF2 electronic components. STGP4M65DF2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGP4M65DF2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STGP4M65DF2 제품 속성
부품 번호 :
STGP4M65DF2
제조사 :
STMicroelectronics
기술 :
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
시리즈 :
M
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
8A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
16A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 4A
전력 - 최대 :
68W
스위칭 에너지 :
40µJ (on), 136µJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
15.2nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
12ns/86ns
시험 조건 :
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
133ns
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220AB
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