Infineon Technologies - FS150R07N3E4B11BOSA1

KEY Part #: K6532758

[1060PC 주식]


    부품 번호:
    FS150R07N3E4B11BOSA1
    제조사:
    Infineon Technologies
    상세 설명:
    IGBT MODULE VCES 650V 150A.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 제너 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS150R07N3E4B11BOSA1 제품 속성

    부품 번호 : FS150R07N3E4B11BOSA1
    제조사 : Infineon Technologies
    기술 : IGBT MODULE VCES 650V 150A
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    IGBT 유형 : Trench Field Stop
    구성 : Three Phase Inverter
    전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 650V
    전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 150A
    전력 - 최대 : 430W
    VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 150A
    전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 1mA
    입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
    입력 : Standard
    NTC 서미스터 : Yes
    작동 온도 : -40°C ~ 150°C
    실장 형 : Chassis Mount
    패키지 / 케이스 : Module
    공급 업체 장치 패키지 : Module

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