기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate, 4V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
71 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1A
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
140pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
8-SMD, Flat Lead