부품 번호 :
APTSM120AM08CT6AG
제조사 :
Microsemi Corporation
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
370A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1360nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)