SIHG30N60E-GE3 가격 (USD) [13208PC 주식]
- 1 pcs$3.12016
- 10 pcs$2.78743
- 100 pcs$2.28569
- 500 pcs$1.85085
- 1,000 pcs$1.56096
- 부품 번호:
- SIHG30N60E-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - JFET and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHG30N60E-GE3 electronic components. SIHG30N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG30N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHG30N60E-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SIHG30N60E-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2600pF @ 100V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
250W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-247AC
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- DMP2036UVT-13
- JANSR2N7381
- SSM3K01T(TE85L,F)
- IRFH5220TRPBF
- AOL1428A
- NP80N04KHE-E1-AY
- 2SK4087LS
- NDF11N50ZG
- BSF053N03LT G
- NILMS4501NR2G
- IRF1503STRRPBF
- SI5480DU-T1-E3
- FDM100-0045SP
- HAT2175H-EL-E
- ZVN4310ASTZ
- ZVN2106ASTOB
- FDS7060N7
- NTHS5402T1
- STD5407NT4G
- SI4438DY-T1-GE3
- IRF7425PBF
- IRL3714STRL
- IRF7426TR
- NTP30N06LG
- IXFR12N100
- IRFZ14STRR
- SI4410DY,518
- BUK953R2-40B,127
- STW36NM60N
- AUIRFSA8409-7TRL
- IXTA110N055P
- HAT2279H-EL-E
- IRFR1205TRPBF
- SIPC07N50C3X1SA1
- RCD100N19TL
- RSH070N05GZETB
- XP161A1265PR
- SI1469DH-T1-GE3
- RTL020P02TR
- PMV280ENEAR