Diodes Incorporated - DMN601K-7

KEY Part #: K6418974

DMN601K-7 가격 (USD) [974181PC 주식]

  • 1 pcs$0.03797
  • 3,000 pcs$0.03480

부품 번호:
DMN601K-7
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
We specialize in Diodes Incorporated DMN601K-7 electronic components. DMN601K-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN601K-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN601K-7 제품 속성

부품 번호 : DMN601K-7
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 50pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 350mW (Ta)
작동 온도 : -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-23-3
패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • AUIRFR4620TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

  • AUIRFR8405TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR4615TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.