Diodes Incorporated - DMN3022LFG-13

KEY Part #: K6523073

DMN3022LFG-13 가격 (USD) [210932PC 주식]

  • 1 pcs$0.17535

부품 번호:
DMN3022LFG-13
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
경쟁 우위:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3022LFG-13 electronic components. DMN3022LFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3022LFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3022LFG-13 제품 속성

부품 번호 : DMN3022LFG-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 10A, 5V, 8 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
전력 - 최대 : 1.96W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-PowerLDFN
공급 업체 장치 패키지 : PowerDI3333-8

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.