제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
35A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4.5V @ 2.1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4100pF @ 300V