SIB406EDK-T1-GE3 가격 (USD) [414489PC 주식]
- 1 pcs$0.08924
- 3,000 pcs$0.08429
- 부품 번호:
- SIB406EDK-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 전원 드라이버 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 electronic components. SIB406EDK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB406EDK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB406EDK-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SIB406EDK-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (최대) :
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
350pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
1.95W (Ta), 10W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
PowerPAK® SC-75-6L Single
패키지 / 케이스 :
PowerPAK® SC-75-6L
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- PSMN010-55D,118
- SCT50N120
- AOT440L_001
- DMN2400UFDQ-7
- IPA80R460CEXKSA1
- GP1M006A065FH
- PMFPB8040XP,115
- APT28F60S
- IRLR3715TRRPBF
- AON7246
- STS3P6F6
- AUIRFP2907Z
- 2N7002L6327HTSA1
- TPCP8001-H(TE85LFM
- IRF3707ZCSTRLP
- APT8024LLLG
- SPA03N60C3XKSA1
- SPP80N08S2L-07
- IPI60R385CPXKSA1
- ZXMN6A25K
- ZXMN6A25G
- MIC94050BM4 TR
- NDPL100N10BG
- IPU60R2K1CEBKMA1
- IRL530S
- IRL2910L
- SI4420DY
- IRLU3303
- IRFZ34NS
- 2SK3047
- STD10PF06T4
- IPD60R1K4C6
- IPW65R125C7XKSA1
- SIHP15N60E-E3
- STF12NM65
- AUIRF1324STRL
- AUIRF1405ZS-7TRL
- SI4190ADY-T1-GE3
- BUK7M21-40EX
- RQ6E035ATTCR