EPC - EPC2018

KEY Part #: K6403908

EPC2018 가격 (USD) [2195PC 주식]

  • 500 pcs$3.64426

부품 번호:
EPC2018
제조사:
EPC
상세 설명:
GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 단일 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2018 제품 속성

부품 번호 : EPC2018
제조사 : EPC
기술 : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE
시리즈 : eGaN®
부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 150V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 3mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
Vgs (최대) : +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 540pF @ 100V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : -
작동 온도 : -40°C ~ 125°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : Die
패키지 / 케이스 : Die
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