ZXMC4559DN8TC 가격 (USD) [15265PC 주식]
- 2,500 pcs$0.29366
- 부품 번호:
- ZXMC4559DN8TC
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TC electronic components. ZXMC4559DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMC4559DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMC4559DN8TC 제품 속성
부품 번호 :
ZXMC4559DN8TC
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N and P-Channel
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.6A, 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
20.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1063pF @ 30V
전력 - 최대 :
2.1W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SO
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