기술 :
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
222 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.7V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
177pF @ 30V
전력 발산 (최대) :
480mW (Ta), 1.45W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3