RW1C020UNT2R 가격 (USD) [484942PC 주식]
- 1 pcs$0.08432
- 8,000 pcs$0.08390
- 부품 번호:
- RW1C020UNT2R
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 전원 드라이버 모듈 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor RW1C020UNT2R electronic components. RW1C020UNT2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RW1C020UNT2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RW1C020UNT2R 제품 속성
부품 번호 :
RW1C020UNT2R
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Not For New Designs
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2nC @ 4.5V
Vgs (최대) :
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
180pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
400mW (Ta)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
6-WEMT
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666
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