APTM120H140FT1G 가격 (USD) [2247PC 주식]
- 1 pcs$19.26652
- 100 pcs$19.03968
- 부품 번호:
- APTM120H140FT1G
- 상세 설명:
- MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 다이오드 - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM120H140FT1G electronic components. APTM120H140FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H140FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM120H140FT1G 제품 속성
부품 번호 :
APTM120H140FT1G
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
145nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
3812pF @ 25V
전력 - 최대 :
208W
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
SP1
공급 업체 장치 패키지 :
SP1
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