SISS65DN-T1-GE3 가격 (USD) [240414PC 주식]
- 1 pcs$0.15385
- 부품 번호:
- SISS65DN-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 트랜지스터 - 특수용 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SISS65DN-T1-GE3 electronic components. SISS65DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS65DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISS65DN-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SISS65DN-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
시리즈 :
TrenchFET® Gen III
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
P-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
25.9A (Ta), 94A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
138nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4930pF @ 15V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스 :
PowerPAK® 1212-8S
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