제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-DIP
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 2V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
250mA, 500mA
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
1200V
상승 / 하강 시간 (일반) :
90ns, 40ns
패키지 / 케이스 :
28-DIP (0.600", 15.24mm)