기술 :
MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
11.3 mOhm @ 18.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
990pF @ 25V
전력 발산 (최대) :
3.1W (Ta), 40W (Tc)
공급 업체 장치 패키지 :
8-DFN (5x6)