기술 :
MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
114nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2025pF @ 30V
전력 발산 (최대) :
3W (Ta), 78W (Tc)
패키지 / 케이스 :
TO-3P-3 Full Pack