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Central Semiconductor Corp - CEDM8001 TR

KEY Part #: K6416021

CEDM8001 TR 가격 (USD) [476542PC 주식]

  • 1 pcs$0.07762
  • 8,000 pcs$0.07696
부품 번호:
CEDM8001 TR
제조사:
Central Semiconductor Corp
상세 설명:
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
경쟁 우위:
We specialize in Central Semiconductor Corp CEDM8001 TR electronic components. CEDM8001 TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CEDM8001 TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CEDM8001 TR 제품 속성

부품 번호 : CEDM8001 TR
제조사 : Central Semiconductor Corp
기술 : MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 0.66nC @ 4.5V
Vgs (최대) : 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 45pF @ 3V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 100mW (Ta)
작동 온도 : -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-883
패키지 / 케이스 : SC-101, SOT-883
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