기술 :
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
55A (Ta), 423A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
0.65 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 750µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
285nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
22610pF @ 15V
전력 발산 (최대) :
3.3W (Ta), 180W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)