제조사 :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2200pF @ 15V
전력 발산 (최대) :
3.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-DFN-EP (3x3)