기술 :
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
325 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5.25V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
740pF @ 25V
전력 발산 (최대) :
2.23W (Ta), 40W (Tc)
패키지 / 케이스 :
TO-220-3 Full Pack