제조사 :
Advanced Linear Devices Inc.
기술 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
시리즈 :
EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
10.6V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
14 Ohm
Vgs (th) (최대) @ ID :
10mV @ 20µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
30pF @ 5V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)