Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB75LP120N

KEY Part #: K6533617

[773PC 주식]


    부품 번호:
    VS-GB75LP120N
    제조사:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    상세 설명:
    IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - IGBT - 단일 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GB75LP120N 제품 속성

    부품 번호 : VS-GB75LP120N
    제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
    기술 : IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    IGBT 유형 : -
    구성 : Single
    전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
    전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 170A
    전력 - 최대 : 658W
    VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.82V @ 15V, 75A (Typ)
    전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 1mA
    입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 5.52nF @ 25V
    입력 : Standard
    NTC 서미스터 : No
    작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Chassis Mount
    패키지 / 케이스 : INT-A-PAK (3 + 4)
    공급 업체 장치 패키지 : INT-A-PAK

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