기술 :
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
부품 상태 :
Discontinued at Digi-Key
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
33A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 9mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
11.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1200pF @ 20V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
Die Outline (11-Solder Bar)