부품 번호 :
IPB083N10N3GATMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 75µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
55nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
3980pF @ 50V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB