Vishay Siliconix - SISH625DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393385

SISH625DN-T1-GE3 가격 (USD) [344842PC 주식]

  • 1 pcs$0.10726

부품 번호:
SISH625DN-T1-GE3
제조사:
Vishay Siliconix
상세 설명:
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
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경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH625DN-T1-GE3 제품 속성

부품 번호 : SISH625DN-T1-GE3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
시리즈 : TrenchFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 17.3A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4427pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PowerPAK® 1212-8SH
패키지 / 케이스 : PowerPAK® 1212-8SH