기술 :
MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE
FET 유형 :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.66 mOhm @ 80A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
패키지 / 케이스 :
19-PowerDIP Module