기술 :
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
430mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
175pF @ 16V
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666