STMicroelectronics - STGWT40H65DFB

KEY Part #: K6422866

STGWT40H65DFB 가격 (USD) [21953PC 주식]

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  • 10 pcs$1.68480
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  • 1,000 pcs$0.94035

부품 번호:
STGWT40H65DFB
제조사:
STMicroelectronics
상세 설명:
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWT40H65DFB 제품 속성

부품 번호 : STGWT40H65DFB
제조사 : STMicroelectronics
기술 : IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 80A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 160A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 40A
전력 - 최대 : 283W
스위칭 에너지 : 498µJ (on), 363µJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 210nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 40ns/142ns
시험 조건 : 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : 62ns
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-3P-3, SC-65-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-3P

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